色中色电影 韩媒：中国顶端半导体紧追韩国

【韩媒：中国顶端半导体紧追韩国】10月28日，韩国媒体《文化日报》发表著作称，尽管受到好意思国的严厉制裁，中国仍在加速“顶端半导体崛起”的方法。跟着用于汽车和电子居品的通用半导体产量的扩大以及对寰宇市集的限度，在一直被觉得是韩国专属领域的存储半导体市集上色中色电影，中国也在步步紧逼。卓绝是，中国正在消弱韩国主导的DRAM、NAND闪存和高带宽存储器（HBM）等领域的工夫差距。

据半导体行业音讯，中国最大的存储芯片公司长鑫存储来岁第四季度晶圆产能份额瞻望为15.4%，较本年第四季度增长3.6个百分点。这与人人排行第三的好意思国好意思光（17.4%）尽头，韩国业界解读为与三星电子和SK海力士、好意思光的三强情势行将出现裂痕。

长鑫存储主要出产DRAM也在快速升级。旧年，少妇空姐19纳米约占产量的90%，但在一年内通过快速工艺转型将其普及到当今的17纳米，并告示来岁量产16纳米。与仍是完成第六代10纳米级开发的三星电子和SK海力士比较，天然还存在3代摆布的差距，但韩国业界大皆觉得，还莫得到不错掉以轻心的地步。

工艺工夫差距也在速即消弱。长鑫存储本年早些时刻告示开发继承全环绕栅极（GAA）蓄意的下一代3纳米级DRAM。三星电子是唯独一家将GAA交易化的公司，该工夫被觉得是克服晶体管性能着落的“游戏规矩篡改者”，缔造于2016年的长鑫存储已告示取得该工夫。这是在莫得极紫外线（EUV）曝光开荒的情况下完成的。此外，长鑫存储还在低功耗半导体（LPDDR）领域完成了第六代开发，该领域的需求因近期东说念主工智能（AI）飞扬而不停加多，将与韩国公司的差距消弱到仅一代。

据评估，韩国和中国的NAND工夫差距为2年，比DRAM（5年）更具恐吓性。中国长江存储于2022年底将232层3D NAND交易化，并与三星和SK海力士同时得手杀青200层界限出产。

韩国众人们一致觉得色中色电影，进犯需要继承全面冒昧措施，包括补贴、税出入撑和基础方式投资。韩国经济东说念主协会经济产业本部部长李相浩暗示，“半导体是一个如若错过投资时机就很难在茁壮期间赢利的领域。如若不思重蹈东芝和英特尔的覆辙，至少应该谋求人人主要国度水平的战术赈济。”

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